IRF630S
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRF630S |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 5.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 3W (Ta), 74W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 9A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF630 |
IRF630S Einzelheiten PDF [English] | IRF630S PDF - EN.pdf |
IRF630NSTRPBF IR
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
IR D2-PAK
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
IR TO-263
IR TO-263
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF630SVishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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